使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT光伏逆变器，实现更高的光伏逆变器效率，更小的光伏逆变器体积重量！更低的光伏逆变器成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which *mitted to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET单管适用于光储中的Boost、T型三电平、DCDC等高开关频率拓扑。
组串式逆变器是基于模块化概念基础上的，每个光伏组串通过一个逆变器，多块电池板组成一个组串，接入小功率单相逆变器在直流端具有最大功率峰值跟踪，在交流端并联并网，已成为现在全球市场上最流行的逆变器。拓扑结构采用DC-DC－BOOST升压（MPPT）和DC－AC逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为IP65。体积较小，可室外壁挂式安装。
组串光伏逆变器有多路MPPT，每路MPPT器件选型为基本™B2M040120Z或B3M040120Z+基本™碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
MPPT选择基本™SiC碳化硅功率器件方案的逻辑：
组串式逆变器早期旧方案中的开关管需要用两颗40A/1200V IGBT并联或者75A/1200V IGBT，升压二极管是1200V 60A Si FRD，开关管的开关频率只有16kHz~18kHz
而新方案选用基本™SiC碳化硅MOSFET开关B2M040120Z或B3M040120Z频率为40-60kHz，大幅度减小了电感等磁性元件的体积和成本，并且基本™SiC碳化硅功率器件的壳温低于IGBT方案，提升了系统可靠性。
基本公司SiC碳化硅MOSFET组串式逆变器DC－AC中的应用 SiC MOSFET在三电平并网逆变器中的应用
基本公司SiC碳化硅MOSFET单管B2M040120Z或B3M040120Z适用于组串式逆变器DC－AC中T型三电平的竖管。逆变器开关频率通常较高，同时其工作原理决定了开关损耗占比较大，所以竖管需要具有低的开关损耗；基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能够设计快速开关单极型器件，替代升级双极型 IGBT （绝缘栅双极晶体管）。基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的开关频率、更少的散热和节省空间——这些好处反过来也降低了总体系统成本。T型三电平横管可以使用基本公司混合碳化硅器件。
通过使用基本公司SiC碳化硅MOSFET单管可以很容易地从光伏三电平并网逆变器整体效率的提高中计算出能源使用和成本节约；与IGBT单管解决方案相比，基本公司SiC碳化硅MOSFET单管可以将储能变流器PCS或者光伏三电平并网逆变器的损耗减半，并提供通常2%的额外能量和运行时间。基本公司SiC碳化硅MOSFET单管B2M040120Z或B3M040120Z的单位成本已经接近IGBT单管。因为基本公司SiC碳化硅MOSFET单管更高的开关频率允许光伏三电平并网逆变器使用更小、更便宜的磁性元件和散热器，所以在系统层面上，光伏三电平并网逆变器硬件成本会大大降低。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
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